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J-GLOBAL ID：200903055725258822

基板処理装置

Inventor： 紺谷 忠司 ,  嶋 信人 ,  伊藤 剛 ,  中川 崇
Applicant, Patent owner： 株式会社日立国際電気
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004185363
Publication number (International publication number)：2006012994
Application date： Jun. 23, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：

【課題】ガスをウエハ面内およびウエハ相互間において均一に接触させる。 【解決手段】ウエハ1群を保持したボート25を収容して処理する処理室32を形成したプロセスチューブ31と、処理室32に処理ガス61を供給するガス供給管35と、処理室32を排気する排気管36と、処理室32の内周面に敷設されてプラズマ室40を形成した隔壁41と、隔壁41に開設された吹出口42とを備えたバッチ式リモートプラズマCVD装置において、ガス供給管側流通口53と排気管側流通口54とを有する一対の仕切板52、52を処理室32にボート25と同心円に設置し、排気管側流通口54は縦に細長い逆台形に形成する。吹出口から吹き出したガスはガス供給管側流通口から両仕切板内に流れ込んで排気管側流通口から均等に排気することで、両仕切板内全体に均等に行き渡るので、ガスはウエハ面内およびウエハ相互間に均一に接触する。 【選択図】図5

Claim (excerpt)：

基板を多段に保持する基板保持具を収容して前記基板を処理する処理室と、前記基板を加熱するヒータユニットと、前記処理室内にガスを供給するガス供給管と、前記処理室内を排気する排気管と、前記処理室内に前記基板を囲むように配置されガス供給管側流通口と排気管側流通口とをそれぞれ有する仕切板とを備えており、前記排気管側流通口は前記基板の積層方向に延在され、前記排気管側流通口における前記基板の主面と平行な断面の開口は前記基板上を流れる前記ガスの流れ方向から見て前記基板の直径よりも小さく設定されており、前記排気管側流通口の前記基板の積層方向の両端の大きさは相異されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/824

FI (2)：

H01L21/31 C ,  H01L27/10 651

F-Term (14)：

5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC02 ,  5F045EC07 ,  5F045EE06 ,  5F045EF13 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083PR15 ,  5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• バッチ式リモートプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-003615   Applicant：株式会社日立国際電気