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J-GLOBAL ID：200903055729356128

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 有馬 靖智 ,  田上 高志 ,  山岡 智則 ,  田中 修平
Applicant, Patent owner： 日本板硝子株式会社
Agent (1)： 大野 精市
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992242110
Publication number (International publication number)：1994097196
Application date： Sep. 10, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 表面平坦度の良好な半導体膜表面を有し、良好な電気的特性を示し、易動度が高い高速動作を示す半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体用ガラス基板10上にアモルファスSi膜20を成膜し、さらにSiO2 膜30を成膜し、エキシマレーザ40を照射する。アモルファスSi膜20は、結晶化して多結晶Si膜50となる。SiO2 膜30を除去し、多結晶Si膜50をパターニング後、SiO2 膜60を成膜した。アモルファスSi膜70をSiO2 膜60上に成膜し、パターニングを行う。リンイオンを添加し、エキシマレーザアニールによって活性化して多結晶Si膜80および多結晶Si膜90を得た。SiO2 膜100を形成し、Al電極110を形成してコプラナ型の薄膜トランジスタを作製する。

Claim (excerpt)：

半導体膜の結晶化、または再結晶化をパルスレーザアニールによって行う半導体装置において、該半導体膜上の一部または全面に被覆膜を設けることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-241862
  
• 特開平2-228043
  
• 半導体材料およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-080799   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所