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J-GLOBAL ID：200903055740735777

III-V族窒化物半導体発光素子

Inventor： 向井 孝志 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994269279
Publication number (International publication number)：1996130327
Application date： Nov. 02, 1994
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 III-V族窒化物半導体よりなる発光素子の発光スペクトルの半値幅を小さくして色純度を上げる。【構成】 互いに導電型の異なるIII-V族窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されて発光層を備えるIII-V族窒化物半導体発光素子において、発光層4を構成するIII-V族窒化物半導体層よりもバンドギャップの小さい層88、88’が、発光層ではない層に少なくとも一層以上形成されていることにより、小バンドギャップ層88、88’に短波長成分を吸収させる。

Claim (excerpt)：

互いに導電型の異なるIII-V族窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が積層されて発光層を備えるIII-V族窒化物半導体発光素子において、前記発光層を構成するIII-V族窒化物半導体層よりもバンドギャップの小さい層が、発光層ではない層に少なくとも一層以上形成されていることを特徴とするIII-V族窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079046   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭57-079683