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J-GLOBAL ID:200903055766703326
光検知装置およびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
服部 毅巖
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006131159
Publication number (International publication number):2007305705
Application date: May. 10, 2006
Publication date: Nov. 22, 2007
Summary:
【課題】広い温度範囲で高感度の光検知を行うことを可能とする。【解決手段】埋め込み層16と、埋め込み層16によって埋め込まれた量子ドット15aと、を有する量子ドット構造15と、動作時に、量子ドット構造15に対して垂直方向に流れる電子の量子ドット構造15下流側に、埋め込み層12,14と、禁制帯幅が埋め込み層12,14よりも小さい量子井戸層13aを有する量子井戸構造13が形成されることで、光検知部10aの電子が超えなくてはならない電位障壁の温度依存性が小さくなり、埋め込み層14の高温時の電位障壁が低下する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
量子ドットを有する光検知装置において、
第1の埋め込み層と、前記第1の埋め込み層によって埋め込まれた量子ドットと、を有する量子ドット構造と、
動作時に、前記量子ドット構造に対して垂直方向に流れる電子の前記量子ドット構造下流側に形成され、第2,第3の埋め込み層と、前記第2,第3の埋め込み層に挟まれ、禁制帯幅が前記第2,第3の埋め込み層よりも小さい量子井戸層と、を有する量子井戸構造と、
を有することを特徴とする光検知装置。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (5):
5F088AA11
, 5F088AB07
, 5F088BA01
, 5F088CB01
, 5F088DA05
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
赤外線検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-126019
Applicant:富士通株式会社
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