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J-GLOBAL ID：200903055772355194

成膜装置および成膜方法

Inventor：
久保 謙一

About 久保 謙一

, 
ブザン バンソン

About ブザン バンソン

, 
池田 恭子

About 池田 恭子

, 
吉川 秀樹

About 吉川 秀樹


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 高山 宏志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998317326
Publication number (International publication number)：2000144421
Application date： Nov. 09, 1998
Publication date： May. 26, 2000
Summary：
【要約】【課題】 被処理体にダメージを与えることなく良好な膜質の金属膜を高い成膜速度で形成することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウエハWを収容するチャンバー1と、チャンバー1内へ有機金属化合物を供給する有機金属化合物供給系14と、チャンバー1とは別個に設けられたプラズマ生成室17と、プラズマ生成室に水素を供給する水素供給系19と、プラズマ生成室17に電界を印加してプラズマ生成室17に導入された水素をプラズマ化するプラズマ生成手段21と、プラズマ生成室17から前記チャンバーへ水素ラジカルを導く多数の水素ラジカル導入路22と、半導体ウエハWを加熱して有機金属化合物を分解させ、半導体ウエハWに金属膜を堆積させる加熱手段5とから成膜装置が形成される。水素ラジカル導入路22の内壁は絶縁部材23で形成されており、水素ラジカルの消滅が防止される。
Claim (excerpt)：
被処理体を収容するチャンバーと、前記チャンバー内へ有機金属化合物を供給する有機金属化合物供給系と、水素のプラズマを形成するプラズマ生成手段と、形成された水素のプラズマから水素ラジカルを選択的に前記チャンバーに導入する機構と、前記被処理体を加熱して前記有機金属化合物を分解させ、被処理体に金属膜を堆積させる加熱手段とを具備することを特徴とする成膜装置。
IPC (3)：
C23C 16/18 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/285
FI (3)：
C23C 16/18 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/285 C
F-Term (12)：
4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4M104BB04 ,  4M104DD44
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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