分析試料の調製方法、不純物の分析方法及び高純度燐酸の調製方法ならびに半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996064635
Publication number (International publication number)：1997015121
Application date： Mar. 21, 1996
Publication date： Jan. 17, 1997
Summary：

【要約】【課題】メモリのソフトエラーの発生を伴わない半導体装置の製造方法、そしてそれに適した高純度燐酸の調製方法ならびに分析試料の調製方法及び不純物の分析方法を提供する。【解決手段】燐酸から被分析不純物のみを析出させてこれを分離することを特徴とする分析試料の調製方法;燐酸から被分析不純物のみを析出させてこれを分離し、そして得られた分離物を試料として分析に供することを特徴とする不純物の分析方法;精製されるべき燐酸から不純物のみを析出させてこれを分離することを特徴とする高純度燐酸の調製方法;含まれる不純物の含有量が、Pb、Bi及びPoからなる群から選ばれた放射性同位元素の含有濃度で規定して、10-3Bq/ml以下である燐酸を処理液として使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

燐酸中に含まれる放射性不純物を定量的に分析するための分析試料を調製するに当たって、前記燐酸から被分析不純物のみを析出させてこれを分離することを特徴とする、分析試料の調製方法。

IPC (6)：

G01N 1/10 , G01N 27/26 , G01N 31/00 , G01T 1/167 , G21H 5/02 , H01L 21/304 341

FI (6)：

G01N 1/10 D , G01N 27/26 S , G01N 31/00 N , G01T 1/167 C , G21H 5/02 , H01L 21/304 341 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

リン酸の精製方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-028097 Applicant：富士通株式会社
半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-010643 Applicant：富士通株式会社
試料分解装置及び試料分解方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-127404 Applicant：株式会社東芝

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