強誘電体メモリ及びその駆動方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991197812
Publication number (International publication number)：1993041080
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】強誘電体メモリセルの分極状態を劣化させることなく、高速な駆動を行なうこと。【構成】1対の電極とこれら電極間に挟持された強誘電体薄膜とからなる強誘電体セル、あるいは該強誘電体セルと半導体素子との組み合わせからなるメモリセル12に、負荷容量14が電気的に直列接続され、前記負荷容量14に蓄積された電位を読み出し後、放電回路15が、直ちに前記負荷容量14の蓄積電荷を放電する。

Claim (excerpt)：

1対の電極とこれら電極間に挟持された強誘電体薄膜とからなる強誘電体セル、あるいは該強誘電体セルと半導体素子との組み合わせからなるメモリセルと、前記メモリセルに電気的に直列接続された負荷容量と、前記負荷容量に蓄積された電位を読み出し後、直ちに前記負荷容量の蓄積電荷を放電する放電回路と、を具備することを特徴とする強誘電体メモリ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-158691
特開昭63-201998
特開平2-301093

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