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J-GLOBAL ID：200903055907767315

放射線に敏感なレジスト組成

Inventor： ゼバルト、ミヒアエル ,  ビルクレ、ジークフリート ,  プライスナー、カリン ,  ベストマン、ハンス-ユルゲン
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1995504278
Publication number (International publication number)：1996512414
Application date： Jun. 28, 1994
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】高解像能のレリーフ構造を形成するための放射線に敏感なレジスト組成は以下の成分薄膜を形成するベースポリマー、照射時に酸を遊離する放射線活性成分、放射線に敏感なエステル形成剤及び溶剤を有することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

以下の成分薄膜を形成するベースポリマー、照射時に酸を遊離する放射線活性成分、放射線に敏感なエステル形成剤及び溶剤を有することを特徴とする高解像度のレリーフ構造を製造するための放射線に敏感なレジスト組成。

IPC (4)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/38 511

FI (4)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/38 511

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• レジスト構造物の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-119178   Applicant：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 特開平1-300248
  
• 特開平3-276157