MOSFET及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991274360
Publication number (International publication number)：1993251697
Application date： Oct. 23, 1991
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】ソース・ドレイン拡散層とチャネル・カウンター・ドーピング層との間にN型不純物をイオン注入することにより、ゲート電極が制御できる空間電荷を増加させ、ソース・ドレインからチャネルへの多数キャリアの拡散を効果的に抑制する。【構成】埋込チャネル型PチャネルMOSFETにおいて、ソース・ドレイン端のチャネル・カウンター・ドーピング層13の基板表面P型不純物濃度を低下させる構造を有する。

Claim (excerpt)：

埋込チャネル型PチャネルMOSFETにおいて、(a)半導体基体上に形成されるNウェル層と、(b)該Nウェル層上に形成されるP型カウンター・ドーピング層と、(c)該P型カウンター・ドーピング層の両側に形成されるソース・ドレイン拡散層と、(d)該ソース・ドレイン拡散層と前記P型カウンター・ドーピング層との間に前記P型カウンター・ドーピング層よりも低濃度のソース・ドレインと同一導伝型の不純物層を有することを特徴とするMOSFET。

IPC (3)：

H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 301 H , H01L 21/265 V , H01L 29/78 301 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-302562
特開昭61-160975
特開平3-250667

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