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J-GLOBAL ID:200903056021577775

EL素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 藤谷 修
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995345201
Publication number (International publication number):1997134788
Application date: Dec. 06, 1995
Publication date: May. 20, 1997
Summary:
【要約】【課題】反射層を利用してEL素子の輝度を絶縁耐圧を低下させることなく向上させ、印加電圧を高くさせない構成のEL素子を提供すること。【解決手段】Al、Ag、Cu、Au、Ni、Ta、W 、Moなどの金属は反射率がよいためEL素子10の輝度を向上させるので、透明電極の外側に薄い絶縁性物質の層3を介して光反射面2を持つ。絶縁性物質の層3を薄く、例えば5μm以下に形成するため、多重像が形成されることなく光取り出し側へ反射されて、輝度が向上する。絶縁性物質としてはSiON、SiN 、SiO2、Ta2O5 、Al2O3 などの絶縁体単体または複数種の絶縁体が積層された層で形成することができ、また、低屈折率絶縁層と高屈折率絶縁層との干渉を利用した反射増加膜や、光反射面の材料の陽極酸化膜でも絶縁性物質の層は形成できる。光反射面は絶縁性基板のどちら側に形成してもよく、裏側にする場合、100 μm以下に絶縁性基板の厚みを薄くする。
Claim (excerpt):
絶縁性基板上に透明第一電極、透明第二電極からなる電極対と、該電極対の間に透明第一絶縁層、発光層、透明第二絶縁層が積層され形成されているEL素子において、前記電極対のうち、光取り出し方向とは反対側の電極の外側に透明な絶縁性物質を介して光反射面を有することを特徴とするEL素子。
IPC (2):
H05B 33/24 ,  H05B 33/22
FI (2):
H05B 33/24 ,  H05B 33/22
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 特開平3-163794
  • 薄膜電場発光素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-224466   Applicant:富士電機株式会社
  • 特開平4-126391
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