Pat
J-GLOBAL ID：200903056051176503
電磁場シミュレーション法、その装置及びその記録媒体
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
韮澤 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002146422
Publication number (International publication number)：2003337919
Application date： May. 21, 2002
Publication date： Nov. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 解析領域の境界まで連続する散乱物体が存在する場合においても、入射電磁場が予め与えられている場合の散乱電磁場を精度良く計算できるシミュレーション法。【解決手段】 入射電磁場4と、入射電磁場4を散乱なく伝達する伝達媒質2と、入射電磁場4を散乱する散乱物体1、3とを含む有限な解析領域5における、散乱物体による入射電磁場の散乱を計算するFDTD電磁場シミュレーション法において、解析領域5を電磁場吸収層6で囲み、電磁場吸収層6に接する伝達媒質2では散乱電磁場表示式で表示し、電磁場吸収層2に接する散乱物体1、3では全電磁場表示式で表示する電磁場シミュレーション法。
Claim (excerpt)：
FDTD電磁場シミュレーション法であって、入射電磁場と、前記入射電磁場を散乱なく伝達する伝達媒質と、前記入射電磁場を散乱する散乱物体とを含む有限な解析領域を設定し、前記解析領域を取り囲むように電磁場吸収層を設定し、前記電磁場吸収層に接する伝達媒質を散乱電磁場表示式で表示し、前記電磁場吸収層に接する散乱物体を全電磁場表示式で表示し、これらの表示式を用いて前記散乱物体による前記入射電磁場の散乱を計算することを特徴とする電磁場シミュレーション法。
IPC (3)：
G06F 19/00 110
, G01R 29/08
, G06F 17/13
G06F 19/00 110
, G01R 29/08 Z
, G06F 17/13
5B056BB04
, 5B056BB22
, 5B056BB36
, 5B056BB42
, 5B056HH07
