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J-GLOBAL ID：200903056083422808

パターン形成方法

Inventor： 佐本 典彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993300253
Publication number (International publication number)：1995153666
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低抵抗の断面T字型の電極リフトオフにより形成可能な断面T字型パターン形成方法を提供する。【構成】 基板10上に塗布形成された下層レジスト11に下層レジスト開口13を形成し、その上に上層レジスト14を塗布形成し、少なくともアンモニア(NH3 )雰囲気中にて、20°Cから110°Cの温度範囲で60分間以下の温度範囲で下層レジストとのミキシング層15を形成し、上層レジスト13を紫外線16により露光し、断面T字型のパターンを形成する。

Claim (excerpt)：

二層レジスト構造において、露光現像により断面T字型パターンを形成する方法において、半導体基板上に塗布形成された下層レジストを露光し、現像することにより所望の開口パターンを形成する工程と、該開口パターンを覆うように紫外線に感度を有する上層レジストを塗布形成し、該上層レジスト上に所望パターンを紫外線にて露光し、現像する工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/3065

FI (3)：

H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/302 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-251410   Applicant：富士通株式会社