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J-GLOBAL ID：200903056085756002

成膜方法、成膜装置および基板処理方法

Inventor：
関 伸介

About 関 伸介


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005112445
Publication number (International publication number)：2006289242
Application date： Apr. 08, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：
【課題】歩留りの高い成膜方法、成膜装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、被塗布基材7に液状の膜形成材料を塗布して膜8を形成する方法である。この成膜方法は、被塗布基材7に膜形成材料を塗布する塗布工程と、膜形成材料を加熱して乾燥させることにより膜8を得る熱処理工程とを有し、熱処理工程において、膜形成材料の温度を検出し、該検出された温度に基づいて加熱を行ない、これにより、温度の分布が均一になるように該温度を調整する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板に液状の膜形成材料を塗布して膜を形成する成膜方法であって、 前記基板に前記膜形成材料を塗布する塗布工程と、 前記膜形成材料を加熱して乾燥させることにより前記膜を得る熱処理工程とを有し、 前記熱処理工程において、前記膜形成材料の温度を検出し、該検出された温度に基づいて加熱を行ない、これにより、前記温度の分布が均一になるように該温度を調整することを特徴とする成膜方法。
IPC (6)：
B05D 3/02 ,  B05C 9/12 ,  B05C 9/14 ,  B05D 3/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/027
FI (6)：
B05D3/02 Z ,  B05C9/12 ,  B05C9/14 ,  B05D3/00 D ,  H01L21/316 G ,  H01L21/30 567
F-Term (19)：
4D075AE03 ,  4D075BB24Y ,  4D075BB24Z ,  4D075BB93Y ,  4D075CA22 ,  4D075CA23 ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC24 ,  4F042AA06 ,  4F042AB00 ,  4F042BA19 ,  4F042DB01 ,  5F046JA02 ,  5F046JA22 ,  5F046KA04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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