半導体電力変換装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001077432
Publication number (International publication number)：2002281761
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】IGBTのコレクタ電圧の振動させることなく、損失増大を最小限に抑えて、コレクタへの過電圧印加を防止する。【解決手段】本発明の半導体電力変換装置は、IGBTと、該IGBTのコレクタとゲート間に接続したコンデンサと、該IGBTのスイッチングを制御するゲート回路を該IGBTのゲートに接続したアームと、直列接続した該アームを複数個並列接続し、前記直列接続したアームの中点を負荷に接続していて、ゲート電圧指令値よりゲート電圧が高い場合に、IGBTのゲートと端子とゲート回路間のインピーダンスを小さくしたり、コレクタ電圧が高い場合に、ゲートとエミッタ間のインピーダンスを小さくして、ゲートの電荷を速やかに放電する。

Claim (excerpt)：

IGBTと、該IGBTのコレクタとゲート間に接続したコンデンサと、該IGBTのスイッチングを制御するゲート回路を該IGBTのゲートに接続したアームと、直列接続した該アームを複数個並列接続し、前記直列接続したアームの中点を負荷に接続した半導体電力変換器において、前記IGBTのゲートと前記ゲート回路の配線との間に接続した可制御インピーダンスを備え、前記IGBTのコレクタ電圧に応じて定まるゲート電圧指令値より前記IGBTのゲート電圧が高い場合に、前記可制御インピーダンスのインピーダンスを低下させて、ゲートの電荷を放電することを特徴とした半導体電力変換装置。

IPC (4)：

H02M 7/12 , H02M 1/00 , H03K 17/16 , H03K 17/60

FI (4)：

H02M 7/12 A , H02M 1/00 E , H03K 17/16 F , H03K 17/60 A

F-Term (30)：

5H006CA01 , 5H006CA13 , 5H006CB01 , 5H006CC04 , 5H006DB03 , 5H006FA01 , 5H740BA11 , 5H740HH05 , 5H740JA03 , 5H740KK01 , 5H740MM01 , 5J055AX25 , 5J055AX54 , 5J055AX66 , 5J055BX16 , 5J055CX07 , 5J055DX03 , 5J055DX09 , 5J055DX72 , 5J055DX83 , 5J055EX06 , 5J055EY10 , 5J055EY12 , 5J055EY17 , 5J055EY21 , 5J055EZ00 , 5J055FX12 , 5J055FX17 , 5J055FX36 , 5J055GX01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電力変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-048679 Applicant：株式会社東芝
特開平4-079758
電力変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-027345 Applicant：富士電機株式会社

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