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J-GLOBAL ID：200903056121369126

透明導電性薄膜積層体の製造方法

Inventor： 小池 勝彦 ,  山▲崎▼ 文晴 ,  岡村 友之 ,  福田 伸
Applicant, Patent owner： 三井化学株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997089527
Publication number (International publication number)：1998278159
Application date： Apr. 08, 1997
Publication date： Oct. 20, 1998
Summary：

【要約】【解決手段】 透明な基体(A)上に、少なくとも、透明高屈折率薄膜層(a)、金属薄膜層(b)を、基体(A)側からb/aなる積層単位を少なくとも1単位有する透明導電性薄膜積層体を、加熱処理し、面抵抗を低下させ、光線透過率を上昇させることを特徴とする、面抵抗が低く、光線透過率が高い透明導電性薄膜積層体の製造方法。【効果】 本発明によれば、面抵抗が低く、光線透過率が高い透明導電性薄膜積層体の製造方法を提供できる。

Claim (excerpt)：

透明な基体(A)上に、少なくとも、透明高屈折率薄膜層(a)、金属薄膜層(b)を、基体(A)側からb/aなる積層単位を少なくとも1単位有する透明導電性薄膜積層体を、加熱処理し、面抵抗を低下させ、光線透過率を上昇させることを特徴とする、面抵抗が低く、光線透過率が高い透明導電性薄膜積層体の製造方法。

IPC (8)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 ,  B32B 15/08 ,  C08J 7/00 301 ,  G02B 1/10 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (8)：

B32B 7/02 104 ,  B32B 7/02 103 ,  B32B 9/00 A ,  B32B 15/08 P ,  C08J 7/00 301 ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  G02B 1/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 透明導電性積層体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-216091   Applicant：三井東圧化学株式会社
• 特開平1-100260
  
• 特開平2-221365