半導体材料の第2の本体が重ねて置かれた半導体材料の第1の本体を電気的に接続するための構造、電気的接続構造を使用する複合構造、および、それらの製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：石田敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001132199
Publication number (International publication number)：2002076269
Application date： Apr. 27, 2001
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 2つの半導体材料本体を機械的に接続する従来技術は、2つまたは3つのウエハに機械的な接続に加えて電気的に接続し、或いは、ウエハのうちの1つのカバーされた部品を電気的にアクセスし得るものではなかった。【解決手段】電気的接続構造は、第1のシリコン本体10をその上に配置された第2のシリコン本体1の表面上の導電性領域29,30に接続する。電気的接続構造は、各少なくとも1つの、プラグ領域3、絶縁領域2a,6、および、導電性電気機械的接続領域23を含む。プラグ領域3を形成するには、第1のウエハ1内にトレンチ2aを彫り、絶縁材料6を充填する。次に、プラグ領域3は、金属とシリコンの間の化学反応をひき起こす低温熱処理を実施することで第2のウエハ10上の金属領域23に固定される。その後、第1のウエハ1は、トレンチ2aまで薄くされ、第1のウエハの自由面上に電気的接続29,30が形成される。

Claim (excerpt)：

半導体材料の第2の本体(1)が重ねて置かれた半導体材料の第1の本体(10)を接続するための電気的接続構造であって、前記第2の本体(1)の一部分を通って延び、半導体材料で作られた少なくとも1つのプラグ領域(3;73,62;64)、前記プラグ領域(3;73,62;64)の側方をとり囲む少なくとも1つの絶縁領域(2a,6;60a,72a,76;65a,66)、および、前記第1の本体(10)と前記第2の本体(1)の間に配置され、前記プラグ領域(3;73,62;64)および前記第1の本体(10)の導電性領域(15〜19;40)と電気的接触状態にある導電性材料の少なくとも1つの第1の電気機械的接続領域(23)を特徴とする電気的接続構造。

IPC (7)：

H01L 27/00 301 , B81C 3/00 , H01L 23/52 , H01L 25/065 , H01L 25/07 , H01L 25/18 , H01L 29/84

FI (5)：

H01L 27/00 301 C , B81C 3/00 , H01L 29/84 Z , H01L 23/52 C , H01L 25/08 B

F-Term (10)：

4M112AA01 , 4M112AA02 , 4M112CA52 , 4M112CA53 , 4M112DA07 , 4M112DA18 , 4M112EA03 , 4M112EA06 , 4M112EA10 , 4M112EA11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

3次元半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062421 Applicant：科学技術振興事業団

Return to Previous Page