半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003195885
Publication number (International publication number)：2005032962
Application date： Jul. 11, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】ヘテロ構造によるバンド不連続による不具合を解消することができ、多数キャリアをボディコンタクト電極に速やかに逃がすことができ、基板浮遊効果を抑制しボディ電位の制御性を改善した素子動作の安定した半導体装置を実現する。【解決手段】ヘテロ構造を有する基板上にMISFETを作製した半導体装置において、SiGeを主体とする第1の半導体層10と、第1の半導体層10上に形成されたSiを主体とする第2の半導体層11と、第2の半導体層11上にゲート絶縁膜5を介して形成されたゲート電極6と、第2の半導体層11中のゲート電極6に対応した位置に形成されたソース・ドレイン領域12と、第1の半導体層10に直接接触するように形成されたボディコンタクト電極9とを備えた。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

SiGeを主体とする第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成されたSiを主体とする第2の半導体層と、第2の半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第2の半導体層中の前記ゲート電極に対応した位置に形成されたソース・ドレイン領域と、第1の半導体層に直接接触するように形成されたボディコンタクト電極と、を具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417

FI (8)：

H01L29/78 618E , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L21/28 301S , H01L21/28 301Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 626B , H01L29/50 M

F-Term (85)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA05 , 4M104AA07 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD08 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD26 , 4M104DD50 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F110AA15 , 5F110AA23 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE24 , 5F110EE31 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG60 , 5F110HJ01 , 5F110HJ02 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ16 , 5F110HK05 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK34 , 5F110HK40 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HM02 , 5F110HM17 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN33 , 5F110NN62

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

電力増幅用電界効果型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-305929 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置,半導体装置の製造方法,半導体基板および半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-197911 Applicant：株式会社日立製作所
SOI型半導体装置及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-096937 Applicant：三星電子株式会社

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