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J-GLOBAL ID:200903056219302534
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気抵抗効果素子の製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
平木 祐輔
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998094339
Publication number (International publication number):1999296815
Application date: Apr. 07, 1998
Publication date: Oct. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 磁気トンネリング現象を示す多層膜を用いて高性能の磁気抵抗効果素子を作製する。【解決手段】 Au層14を表面に形成した金属積層体からなる下部電極100上に磁気トンネリング現象を示す多層膜200を形成する。電極の表面はAu層で被われているため、電極を大気中に出しても電極は酸化されない。したがって、電極100と多層膜200の間には絶縁層は存在しない。さらに、多層膜200をフォトリソグラフィ工程により所定の形状に加工する時に、同時に電極上の多層膜のない部分のAu層も除去する。この上に絶縁体18を形成すると、Au層のない部分に絶縁体が形成されることになるので、電極100と絶縁体18の剥離は生じない。
Claim (excerpt):
電極上に磁気抵抗効果を示す多層膜が形成されている磁気抵抗効果素子において、前記電極はAu層と少なくとも1層の他の金属層からなる積層体であり、前記Au層は前記電極と前記多層膜とが接触する部分に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平4-103013
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特開平4-103014
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特開平4-003306
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磁気抵抗効果型磁気ヘツド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-279193
Applicant:松下電器産業株式会社
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磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-055757
Applicant:株式会社日立製作所
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磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-075963
Applicant:シチズン時計株式会社
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