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J-GLOBAL ID：200903056223389229

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
吉野 利枝佳

About 吉野 利枝佳

, 
鈴木 崇敏

About 鈴木 崇敏


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 堀 城之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997311116
Publication number (International publication number)：1999135568
Application date： Oct. 28, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 従来の半導体素子と配線基板を固定している絶縁性樹脂は常温時と高温時の熱の発生消滅に従って樹脂に繰り返し発生し、樹脂を疲労させ、その劣化を早め収縮力を低下させる。その結果、樹脂の膨張量が収縮量を上回るようになって半導体素子の突起電極と配線基板の導体配線との隙間に発生させ導通不良を発生させる。【解決手段】 導体配線14(導体パッド)を有する有機配線基板15のその導体配線14と、半導体素子11の突起電極12が合致し、半導体素子11と有機配線基板15の間を熱硬化型の接着用絶縁性樹脂13で固着する構造を有する半導体装置において、接着用絶縁性樹脂13の硬化の際に発生する残留応力が、その最大応力の発生する領域を突起電極12付近とし、さらに半導体素子11の中央付近を最小またはゼロの領域とし、その突起電極12付近の残留応力による引っ張り力により接続を保つ構成とした。
Claim (excerpt)：
配線基板の導体配線と半導体素子の突起電極とを合致させ、それら配線基盤と半導体素子との間を硬化によって収縮する接着用絶縁性樹脂で固着する構造の半導体装置において、前記接着用絶縁性樹脂の硬化の際に発生する残留応力の領域が前記突起電極付近で最大となる構成としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/60 311 ,  C09J163/00
FI (2)：
H01L 21/60 311 S ,  C09J163/00
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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