磁気ランダムアクセスメモリ及びその作動方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：磯野道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002324565
Publication number (International publication number)：2003281879
Application date： Nov. 08, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】マグネチックドメインドラッグ現象を用いた磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)を提供する。【解決手段】固定層、非磁性体層及び自由層を含むデータ貯蔵ユニットと、前記データ貯蔵ユニットにデータを入力するために前記自由層の両端に電気的に接続されたデータ入力手段と、前記データ貯蔵ユニットに貯蔵されたデータを出力するために前記自由層及び固定層に電気的に接続されたデータ出力手段とを含む磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)とした。

Claim (excerpt)：

固定層、非磁性体層、および自由層を含んでなるデータ貯蔵ユニットと、前記自由層の両端に電気的に接続され、前記データ貯蔵ユニットにデータを入力するデータ入力手段と、前記自由層及び固定層に電気的に接続され、前記データ貯蔵ユニットに貯蔵されたデータを出力するデータ出力手段とを含むことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (4)：

G11C 11/15 110 , G11C 11/15 116 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/15 110 , G11C 11/15 116 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (10)：

5F083FZ10 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA20 , 5F083ZA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

磁気メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-367280 Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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