MIS型半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：三好秀和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993329387
Publication number (International publication number)：1995193231
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は、装置を微細化してオン抵抗を十分に小さくし、また寄生バイポーラトランジスタ等のターンオンを抑えて二次降伏等による装置破壊を防止することを目的とする。【構成】ボディ領域3の表面側に形成されているソース領域10の少なくとも一部をそのボディ領域3を形成している半導体材料よりもバンドギャップの小さい半導体材料で形成したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1導電型のボディ領域と、該ボディ領域の表面側に形成された第2導電型のソース領域と、前記ボディ領域を間において前記ソース領域から離間して形成されたドレイン領域となる第2導電型領域と、該第2導電型領域と前記ソース領域との間の前記ボディ領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有するMIS型半導体装置において、前記ソース領域の少なくとも一部を前記ボディ領域を形成している半導体材料よりもバンドギャップの小さい半導体材料で形成してなることを特徴とするMIS型半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 321 B , H01L 29/78 321 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平1-241159
特開昭61-276265
特開昭63-013379

Show all

Return to Previous Page