記憶素子およびその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：長尾常明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004032911
Publication number (International publication number)：2005228763
Application date： Feb. 10, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：

【課題】高価な材料を用いる必要がなく製造コストを格段に引き下げることができ、データの読み出しが非破壊で、セル面積を小さくでき、将来のスケーリングに永く対応できる記憶素子を提供する。【解決手段】半導体層1に電荷障壁層2、電荷移動層3、ゲート電極4を順次積層しした層構造とする。電荷障壁層2は電荷移動層3中の欠陥密度よりも少ない欠陥密度で、かつ電荷移動層3よりも大きな障壁を持つようにする。ゲート電極4と半導体層1との間に電圧を印加させることにより電荷移動層3中の電荷を移動させる。ゲート電極4に印加した電圧とは反対極性の電荷が電荷移動層3中のゲート電極4の側に、ゲート電極4に印加した電圧と同極性の電荷が電荷移動層中3の半導体層1の側に蓄積することによりMIS型トランジスタの閾値を変化させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属、絶縁膜、半導体からなるMIS型トランジスタ構造を有し、前記絶縁膜が電荷移動層としての機能を持ち、当該電荷移動層中に電荷を保持するとともに、前記金属と前記半導体間に印加された電圧による前記電荷移動層内の電界によって前記電荷が前記電荷移動層中を移動し、前記金属に印加した電圧とは反対極性の電荷が前記電荷移動層中の前記金属の側に、前記金属に印加した前記電圧と同極性の電荷が前記電荷移動層中の前記半導体の側に蓄積することにより前記MIS型トランジスタの閾値を変化させることを特徴とする記憶素子。

IPC (7)：

H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/94

FI (4)：

H01L27/10 321 , H01L29/94 Z , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

F-Term (18)：

5F083AD69 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083EP48 , 5F083EP49 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083PR12 , 5F083PR22 , 5F101BA44 , 5F101BA45 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BD02 , 5F101BH03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-314360 Applicant：富士通株式会社

Cited by examiner (6)

電子素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-332493 Applicant：ソニー株式会社
半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-167391 Applicant：松下電器産業株式会社
不揮発性半導体記憶装置の動作方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-310475 Applicant：ソニー株式会社

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