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J-GLOBAL ID：200903056339331996

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 藤田 直樹 ,  佐藤 賢一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
Agent (1)： 梶原 辰也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997085868
Publication number (International publication number)：1998261756
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 外部抵抗分を低減させる。【解決手段】 3端子ラジアルリード形樹脂封止パッケージのパワーMOSFET45は、ペレット10と、樹脂封止体44の下端面に突出された3本のアウタリード33、34、35と、3本のインナリード36、37、38とを備え、中央の第1インナリード36の先端に形成されたタブ40にペレット10がボンディング層41でボンディングされている。第2インナリード37とゲート用電極パッド19との間にはゲート用ワイヤ42が橋絡され、タブ40の一方の長辺に沿って配設された第3インナリード38とソース用電極パッド20との間には複数本のソース用ワイヤ43が互いに平行に橋絡されている。【効果】 大電流を複数本のソース用ワイヤで通電できるため、外部抵抗のうち殆どを占めるワイヤの電気抵抗を大幅に低減でき、全体の抵抗を低減できる。

Claim (excerpt)：

電子回路要素が作り込まれ小形の平板形状に形成された半導体ペレットと、この半導体ペレットに各ワイヤによって電気的に接続された複数本のインナリードと、これらインナリードにそれぞれ連結された複数本のアウタリードと、前記半導体ペレット、前記インナリード群および前記ワイヤ群を封止した封止体とを備えており、前記アウタリード群が前記封止体の一辺に配列されている半導体装置において、前記インナリード群のうち大電流用インナリードが前記半導体ペレットの一辺に沿って長く配設されており、この大電流用インナリードには複数本のワイヤまたは幅の広いワイヤの一端が接続されているとともに、このワイヤの他端は前記半導体ペレットの大電流用電極パッドに接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/60 301

FI (2)：

H01L 23/50 X ,  H01L 21/60 301 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-105725   Applicant：ローム株式会社
• 特開平2-087535
  
• 特開平4-107834
  
• 特開昭62-122140