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J-GLOBAL ID：200903056437602736

微小電界放出陰極素子

Inventor： 後藤 克幸 ,  江上 典文 ,  平野 喜之 ,  佐藤 史郎
Applicant, Patent owner： 日本放送協会
Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051775
Publication number (International publication number)：1995262908
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は熱酸化処理などの高温プロセスを不要にしながら、Siウェーハサイズに限定されることなく、各サイズの冷陰極アレイの作製を可能にするとともに、電子放出特性を大幅に向上させる。【構成】 微小な陰極7と、これら陰極7の近傍に配置されたゲート電極5とに電圧を印加して前記陰極7と前記ゲート電極5との間に生じた電界によって前記陰極7から電子を放出させる微小電界放出陰極素子を作製する際、非晶質シリコンを用いて前記陰極7を作製する。

Claim (excerpt)：

単独またはアレイ化された微小な陰極と、これら陰極の近傍に配置されたゲート電極またはアノード電極とに電圧を印加して前記陰極と前記ゲート電極またはアノード電極との間に生じた電界によって前記陰極から電子を放出させる微小電界放出陰極素子において、前記陰極の材料として、非晶質半導体を用いることを特徴とする微小電界放出陰極素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• マクロ粒子ポリシリコン基板上に製造される電界放出構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-134193   Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 特許第5269877号
  
• 特開平3-238729