Pat
J-GLOBAL ID：200903056443300512

半導体装置、光学装置及びセンサ装置

Inventor：
米屋 伸英

About 米屋 伸英


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005117859
Publication number (International publication number)：2006302925
Application date： Apr. 15, 2005
Publication date： Nov. 02, 2006
Summary：
【課題】 ソール電極及びドレイン電極と有機半導体材料層との間の接触抵抗を低下させることができ、これを簡便な製造プロセスで実現できる半導体装置、光学装置及びセンサ装置を提供すること。【解決手段】 ソース電極5と、ドレイン電極6と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層7とを有し、有機半導体材料層7を介してソース電極5とドレイン電極6との間で電荷を移動させるように構成された有機電界効果トランジスタにおいて、ソース電極5及びドレイン電極6が、導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる、有機電界効果トランジスタ1a。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1電極と、第2電極と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層とを有し、前記有機半導体材料層を介して前記第1電極と前記第2電極との間で電荷を移動させるように構成された半導体装置において、前記第1電極及び前記第2電極が、導電性高分子材料と導電型制御用のドーパントとの混合物からなる、半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  H01L 51/05
FI (5)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L27/14 C ,  H01L29/28
F-Term (36)：
4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA19 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110EE01 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110NN01 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM