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J-GLOBAL ID：200903056467392574

成膜方法

Inventor： オチュット クマール ドット ,  関 祐子
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994115217
Publication number (International publication number)：1995314162
Application date： May. 27, 1994
Publication date： Dec. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 LSI及び光導波路素子において、平坦化膜内にボイドを残すことなく、平坦化できる成膜方法を提供する。【構成】 ドーパントの異なる2種類のシリコン酸化膜2、シリコン酸化膜3をこの順番に基板1上に成膜する。続いてドライエッチングによりコアパターン3(a)を形成し、このパターンによる段差の3分の1以上の厚みに第1平坦化膜4を形成する。次に平坦化膜の材料に適した波長のレーザ6を第1平坦化膜4の凹部上に照射し、蒸散によって開口部7を形成する。開口部7のテーパ角は90度より十分に小さいため引き続いて第2平坦化膜8を成膜すればボイドのない平坦化を行うことができる。

Claim (excerpt)：

表面に凹凸構造のある基板上に第1層目の薄膜を形成した後、レーザ光を前記薄膜の凹部上部に照射して表面に蒸散により空洞部分を露出させた後、第2層目の薄膜を所望の膜厚まで形成することを特徴とする成膜方法。

IPC (7)：

B23K 26/00 ,  G02B 6/13 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (4)：

G02B 6/12 M ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-209747
  
• 特開平4-065154
  
• 有機絶縁層の微細パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205645   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平1-222457