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J-GLOBAL ID：200903056498155376

半導体光集積素子

Inventor： 青木 雅博 ,  佐野 博久 ,  坂野 伸治 ,  鈴木 誠 ,  高橋 誠 ,  魚見 和久 ,  井戸 立身 ,  高井 厚志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042831
Publication number (International publication number)：1993243551
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は半導体量子井戸構造を有する光集積素子に関し、特に異種機能を有する個々の集積光素子の性能向上を極めて容易に実現する構造及び製造方法を提供することである。また、更なる目的は、光機能部の光利得、光吸収係数がTE、TMモ-ドで異なる半導体光集積素子を実現することである。【構成】量子井戸構造を構成する結晶成長層の半導体基板に対する格子不整合量が各光機能部で異なるような光導波層を有する半導体光素子を同一半導体基板上に集積化した半導体光集積素子及び半導体基板上に形成した絶縁膜パターニングマスクを用いた領域選択成長技術を用いた半導体光集積素子の製造方法を開示する。【効果】集積する光素子個々の性能を最大に引き出す素子設計を行うことができる。素子間のほぼ100%光結合を実現できる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体からなる第1の光導波層を有する第1の光機能部の他に、少なくとも化合物半導体からなる第2の光導波層を有する第2の光機能部を同一半導体基板面内に有する半導体光集積素子において、上記第1、第2の光機能部の光導波層を構成する一部または全ての結晶成長層の格子不整合量が半導体基板に対して異なることを特徴とする半導体光集積素子。

IPC (3)：

H01L 27/15 ,  G02B 6/12 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体光集積素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-180746   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-174790