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J-GLOBAL ID：200903056510690410

マイクロクラスターによるナノ構造およびその作製方法

Inventor： 村上 純一 ,  吉村 和記 ,  多井 豊 ,  丸山 豊 ,  山口 渡
Applicant, Patent owner： 工業技術院長
Agent (1)： 工業技術院名古屋工業技術研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999271898
Publication number (International publication number)：2001098372
Application date： Sep. 27, 1999
Publication date： Apr. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 マイクロクラスターによるナノ構造およびその作製方法を提供する。【解決手段】 イオンビームスパッタ法により生成させ、質量を選別した後にヘリウムガスとの多重衝突による冷却により、その並進エネルギー幅を0.4eV以下に狭くした、単一サイズの金属、半導体等のマイクロクラスターイオンを高配向性グラファイト(HOPG)等の基板表面にエネルギーを厳密に制御して加速して打ち込み、基板シート内に固定化し、それによって単一サイズマイクロクラスターのナノ構造を作ることを特徴とする、ナノ構造作製方法、及びこの方法によって作製した銀のナノ構造薄膜。

Claim (excerpt)：

イオンビームスパッタ法により生成させ、質量を選別した後にヘリウムガスとの多重衝突による冷却により、その並進エネルギー幅を0.4eV以下に狭くした、単一サイズの金属、半導体等のマイクロクラスターイオンを基板表面にエネルギーを厳密に制御して加速して打ち込み、基板シート内に固定化し、それによって単一サイズマイクロクラスターのナノ構造を作ることを特徴とする、ナノ構造作製方法。

IPC (3)：

C23C 14/46 ,  B01J 19/00 ,  H01L 21/203

FI (3)：

C23C 14/46 Z ,  B01J 19/00 K ,  H01L 21/203 M

F-Term (23)：

4G075AA22 ,  4G075AA24 ,  4G075BC03 ,  4G075BC08 ,  4G075CA39 ,  4G075DA18 ,  4G075FC13 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA04 ,  4K029BB01 ,  4K029BC07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC37 ,  5F103AA07 ,  5F103BB22 ,  5F103BB23 ,  5F103DD28 ,  5F103GG10 ,  5F103HH10 ,  5F103LL17 ,  5F103RR04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-018013
  
• 微細構造材料の製造方法並びにその製造装置、および微細構造を有する発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-230073   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特表平3-503425