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J-GLOBAL ID：200903056548882975

磁気抵抗効果ヘッド

Inventor： 石 勉
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039327
Publication number (International publication number)：1997231523
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 センス電流の利用効率の高い、狭トラック化に適した構造のMRヘッドを提供する。【解決手段】 本発明に係る磁気抵抗効果ヘッドは、磁気記録媒体からの信号磁界を抵抗変化を利用して検出する磁気抵抗効果層6と、磁気抵抗効果層6に横方向バイアス磁界を印加するための軟磁性バイアス層4と、磁気抵抗効果層6に縦方向バイアス磁界を印加するための縦バイアス印加層7と、磁気抵抗効果層6にセンス電流を供給するための電極層8とを備えている。そして、軟磁性バイアス層4の飽和磁束密度と比抵抗との積が、80〔T・μΩcm〕以上である。ある。

Claim (excerpt)：

磁気記録媒体からの信号磁界を抵抗変化を利用して検出する磁気抵抗効果層と、この磁気抵抗効果層に横方向バイアス磁界を印加するための軟磁性バイアス層と、前記磁気抵抗効果層に縦方向バイアス磁界を印加するための縦バイアス印加層と、前記磁気抵抗効果層にセンス電流を供給するための電極層とを備えた磁気抵抗効果ヘッドにおいて、前記軟磁性バイアス層の飽和磁束密度と比抵抗との積が80〔T・μΩcm〕以上であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-043480   Applicant：株式会社日立製作所