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J-GLOBAL ID：200903056634616196

シリコン上の高Qインダクタ

Inventor： デービッド・ルイス・ハラム ,  ケネス・ジェイ・シュタイン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998196834
Publication number (International publication number)：2000040789
Application date： Jul. 13, 1998
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 低いQおよび低い自己共振周波数を有する渦巻きインダクタなど受動構成要素の問題を克服すること。【解決手段】 半導体基板12と、半導体基板中に形成された互いに実質上平行な複数の離間したトレンチ30であって、絶縁体32で被覆された側壁を有し、前記複数のトレンチ上に連続的な上面を形成する材料35で充填されたトレンチ30と、前記複数の離間したトレンチ上に形成された絶縁体層15と、前記複数の離間したトレンチ上に形成されたインダクタ37、38、39など電子デバイスとを含み、それにより前記電子デバイスの下の前記複数の離間したトレンチが基板に対して高抵抗領域を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板中に形成された互いに実質上平行な複数の離間した分離トレンチであって、前記基板の抵抗よりも大きい抵抗を有する材料で充填され、かつ前記複数のトレンチ上に連続的な表面を形成するために前記トレンチの上面まで充填される複数の離間した分離トレンチと、前記複数の離間したトレンチ上に形成された絶縁層と、前記複数の離間したトレンチ上に形成された受動構成要素とを含み、それにより前記受動構成要素の下の前記複数の離間したトレンチが前記基板の抵抗に対して高い抵抗領域を形成する集積回路。

IPC (3)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00

FI (2)：

H01L 27/04 L ,  H01F 17/00 B

F-Term (14)：

5E070AA01 ,  5E070AB06 ,  5E070AB07 ,  5E070CB12 ,  5E070CB17 ,  5E070CB20 ,  5E070CC10 ,  5E070DB08 ,  5F038AC01 ,  5F038AZ04 ,  5F038DF01 ,  5F038DF12 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• インダクタ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-132498   Applicant：株式会社東芝