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J-GLOBAL ID：200903056647441581

化合物半導体の製造方法

Inventor：
上野 昌紀

About 上野 昌紀

, 
元木 健作

About 元木 健作


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001162639
Publication number (International publication number)：2002359198
Application date： May. 30, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】 GaN単結晶基板上に良好な窒化物系化合物半導体層を形成することを目的とする。【解決手段】 本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第1ガス雰囲気下でGaN単結晶基板2を加熱する第1加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第2ガス雰囲気下でGaN単結晶基板2を加熱する第2加熱工程と、GaN単結晶基板2上に窒化物系化合物半導体層3を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。
Claim (excerpt)：
GaN単結晶基板上に形成された窒化物系化合物半導体層を有する化合物半導体の製造方法において、少なくとも水素ガスを含む第1ガス雰囲気下で前記GaN単結晶基板を加熱する第1加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第2ガス雰囲気下で前記GaN単結晶基板を加熱する第2加熱工程と、前記GaN単結晶基板上に前記窒化物系化合物半導体層を形成するエピタキシャル成長工程とを含む化合物半導体の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
F-Term (42)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE02 ,  4G077TK04 ,  4G077TK10 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045DP04 ,  5F045DP05 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB15 ,  5F045EE14 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08 ,  5F045HA06 ,  5F045HA22 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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