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J-GLOBAL ID：200903056651267685

半導体モジュールおよびその製造方法

Inventor： 岡本 健次 ,  岡村 誠 ,  内田 真治
Applicant, Patent owner： 富士電機機器制御株式会社
Agent (1)： 森田 雄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003170395
Publication number (International publication number)：2005005638
Application date： Jun. 16, 2003
Publication date： Jan. 06, 2005
Summary：

【課題】コスト上昇を抑えつつ放熱特性を向上させた半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】パワー半導体2または駆動IC3等の回路素子をボンディングワイヤ4,5によりリードフレーム1の回路パターンに接続して成形樹脂6で覆い、この成形樹脂6の反対面に、セラミックス絶縁層7を形成した半導体モジュール100とした。また、セラミックス絶縁層7をプラズマ溶射法・コールドスプレーにより形成する半導体モジュール100の製造方法とした。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

1または複数の回路素子を搭載し、樹脂封止してなる半導体モジュールにおいて、 前記回路素子を搭載するリードフレームと、 前記回路素子および前記リードフレームの回路素子搭載面を少なくとも封止する樹脂と、 少なくとも前記リードフレームの回路素子非搭載面に直接形成したセラミックス絶縁層と、 を備えることを特徴とする半導体モジュール。

IPC (4)：

H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (3)：

H01L23/36 C ,  H01L23/36 M ,  H01L25/04 C

F-Term (5)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BD13 ,  5F036BD14 ,  5F036BE01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-042695   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平4-332155