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J-GLOBAL ID:200903033041455820

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000042695
Publication number (International publication number):2001237366
Application date: Feb. 21, 2000
Publication date: Aug. 31, 2001
Summary:
【要約】【課題】 封止部の形成不具合を有さず絶縁性及び放熱性が確保された半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置101は、電極フレーム2と、電力用半導体素子1と、セラミックから成る絶縁部材7と、エポキシ樹脂から成る封止部5とを備える。電極フレーム2の素子搭載部2Dの表面2S1上に電力用半導体素子1が搭載されている。素子搭載部2Dの表面2S2に対面する絶縁部材7の表面7S1は、当該表面7S1の周縁が素子搭載部2Dの表面2S2の周縁を取り囲みうる寸法・形状を有しており、表面7S1の周縁が素子搭載部2Dの表面2S2の周縁を取り囲んで配置されている。封止部5は、電力用半導体素子1及び素子搭載部2D等を覆って、且つ、絶縁部材7の表面7S1,7S3に接して形成されている。絶縁部材7の表面7S2は封止部5で覆われておらず、当該表面7S2の全面が露出している。
Claim (excerpt):
素子搭載部及びリード部を有する電極フレームと、前記素子搭載部の一方の表面上に搭載された半導体素子と、その周縁が前記素子搭載部の他方の表面の周縁を取り囲んで前記他方の表面に対面する第1表面と、前記第1表面に対向する第2表面とを有し、前記素子搭載部に固定された絶縁部材と、前記絶縁部材の前記第2表面の全面を露出させた状態で前記絶縁部材に接すると共に前記半導体素子を覆って形成された封止部とを備えることを特徴とする、半導体装置。
IPC (2):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-059685   Applicant:三菱電機株式会社
  • 樹脂封止型半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-144708   Applicant:シャープ株式会社

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