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J-GLOBAL ID：200903056652778713

薄膜トランジスタ及び表示装置

Inventor： 佐野 景一 ,  瀬川 泰生 ,  田渕 規夫 ,  山田 努
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998159131
Publication number (International publication number)：1999354802
Application date： Jun. 08, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 水分あるいは不純物イオンによってTFTの平坦化膜又は層間絶縁膜の分極の発生による閾値電圧の変化を抑制し、欠点が少なく面内で均一な明るさの表示が得られるTFT及び表示装置を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1上に、Crからなるゲート電極2、ゲート絶縁膜3、多結晶シリコン膜からなりソース5、チャネル7及びドレイン6を備えた能動層4を形成し、ゲート絶縁膜3、能動層4及びストッパ絶縁膜8上の全面に、層間絶縁膜9を形成する。この層間絶縁膜9に設けたコンタクトホールのドレイン6に対応した位置にAl等の金属を充填してドレイン電極10を形成するとともに、同時にチャネル7の上方であって層間絶縁膜9の上に、ゲート絶縁膜3及び層間絶縁膜9に設けられたコンタクトホール14を介して、絶縁性基板1上のゲート信号配線Gと接続されている導電層11を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネルを備えた半導体膜、層間絶縁膜、及び平坦化絶縁膜を備えており、前記層間絶縁膜上または前記平坦化絶縁膜上で且つ前記チャネル上方に導電層を備え、前記チャネル上方における前記導電層のチャネル長方向の幅は前記チャネルのチャネル長よりも狭く、且つ前記導電層は前記ゲート電極の端部及び前記チャネルのチャネル長方向の端部と非重畳であることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 619 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 627 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 薄膜アクティブ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-274610   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平2-156676