Pat
J-GLOBAL ID：200903056672899657
圧電薄膜素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
油井 透
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005154408
Publication number (International publication number)：2006332368
Application date： May. 26, 2005
Publication date： Dec. 07, 2006
Summary：
【課題】 (001)面方位に高配向なPZT膜が安定して得られる圧電薄膜素子の構造及びその製造方法を得ることにある。【解決手段】 基板1上に、少なくとも基板側から順番に第一の電極薄膜2、ペロブスカイト結晶構造を有する圧電薄膜4、第二の電極薄膜を積層した構造を有する圧電薄膜素子を製造するに際し、化学溶液法により、第一の電極薄膜2上に下地膜として高配向な第一の圧電薄膜3を形成し、その後、スパッタリング法によって、その化学溶液法で形成した第一の圧電薄膜3上に、当該第一の圧電薄膜3の配向を引き継いだ高配向な第二の圧電薄膜4を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも基板側から順番に第一の電極薄膜、ペロブスカイト結晶構造を有する圧電薄膜、第二の電極薄膜を積層した構造を有する圧電薄膜素子を製造するに際し、
化学溶液法により、第一の電極薄膜上に下地膜として高配向な第一の圧電薄膜を形成し、その後、
スパッタリング法によって、その化学溶液法で形成した第一の圧電薄膜上に、当該第一の圧電薄膜の配向を引き継いだ高配向な第二の圧電薄膜を形成することを特徴とする圧電薄膜素子の製造方法。
IPC (5)：
H01L 41/22
, H01L 41/09
, H01L 41/187
, H01L 41/18
, H01L 41/24
H01L41/22 Z
, H01L41/08 C
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 A
2C057AF93
, 2C057AG44
, 2C057AP14
, 2C057AP52
