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J-GLOBAL ID：200903056698464837

窒化物半導体素子の製造方法

Inventor：
庄野 博文

About 庄野 博文

, 
豊田 達憲

About 豊田 達憲


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002329878
Publication number (International publication number)：2003218065
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子の製造方法である。特に、前記半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し該第1の主面側から基板を露出させて島状窒化物半導体を形成する工程と、少なくとも該第1の主面側及び/又は第2の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成する工程と、該溝部(103)にブレイク・ライン(104)をレーザー照射により形成する工程と、前記ブレイク・ライン(104)に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。
Claim (excerpt)：
基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し該第1の主面側から基板を露出させて島状窒化物半導体を形成する工程と、少なくとも該第1の主面側及び/又は第2の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成する工程と、該溝部(103)にブレイク・ライン(104)をレーザー照射により形成する工程と、前記ブレイク・ライン(104)に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/301 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/02
FI (4)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/02 ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 L
F-Term (15)：
5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA34 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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