窒化物半導体素子の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997345937
Publication number (International publication number)：1999177137
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を分割する窒化物半導体素子の製造方法である。特に、半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し少なくとも第1の主面側及び/又は第2の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成する工程と、溝部(103)にブレイク・ライン(104)をレーザー照射により形成する工程と、ブレイク・ライン(104)に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有する窒化物半導体素子の製造方法である。

Claim (excerpt)：

基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記半導体ウエハー(100)は第1及び第2の主面を有し少なくとも該第1の主面側及び/又は第2の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成する工程と、該溝部(103)にブレイク・ライン(104)をレーザー照射により形成する工程と、前記ブレイク・ライン(104)に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/301

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/78 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-100154 Applicant：豊田合成株式会社
半導体製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-277793 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-057986 Applicant：株式会社村田製作所

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