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J-GLOBAL ID：200903056712772329

硬質炭素被膜及びその形成方法

Inventor： 堂本 洋一 ,  蔵本 慶一 ,  平野 均 ,  木山 精一
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996095514
Publication number (International publication number)：1997040494
Application date： Apr. 17, 1996
Publication date： Feb. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高い膜硬度を有し、かつ基板に対する密着性に優れた硬質炭素被膜を得る。【解決手段】 基板20との界面近傍部分21aにおける水素濃度が60〜40%であり、被膜の表面近傍部分21bにおける水素濃度が30〜10%であるように硬質炭素被膜21の組成をその厚み方向に変化させたことを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成される硬質炭素被膜であって、基板との界面近傍における水素濃度が60〜40%であり、被膜の表面近傍における水素濃度が30〜10%であるように、被膜の組成をその厚み方向に変化させたことを特徴とする硬質炭素被膜。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50

FI (3)：

C30B 29/04 B ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-294867
  
• 炭素または炭素を主成分とする被膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-197516   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平1-294867