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J-GLOBAL ID：200903056713041611

半導体素子

Inventor： 伊藤 潤 ,  柴田 直樹 ,  千代 敏明 ,  野杁 静代
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998103525
Publication number (International publication number)：1999284228
Application date： Mar. 30, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体層を有する半導体素子においてGaN系の半導体層用に適した新規な基板を提供する。【解決手段】 導電性窒素化合物を含む基板上にGaN系の半導体層を直接又は適当なバッファ層を介して積層する。

Claim (excerpt)：

導電性窒素化合物(GaN系の半導体を除く)を含む基板と、GaN系の半導体層と、を備えてなる半導体素子。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 29/14 ,  H01L 29/80 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• III-V族化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042711   Applicant：シャープ株式会社