III-V族化合物半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996042711
Publication number (International publication number)：1997237938
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】窒化物系III-V族化合物半導体との格子不整が極めて小さくできる基板材料を提供する。【解決手段】窒化物系III-V族化合物半導体発光素子において、結晶構造として岩塩構造をとる金属窒化物の(111)面を基板として用いることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

窒化物系III-V族化合物半導体発光素子において、結晶構造として岩塩構造をとる金属窒化物の(111)面を基板として用いてなることを特徴とするIII-V族化合物半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-229475
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-179198 Applicant：株式会社東芝
特開昭50-079500

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