シリコン窒化膜の成膜方法、成膜装置、及び半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：青山葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002112321
Publication number (International publication number)：2003309119
Application date： Apr. 15, 2002
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】窒化膜の成膜において、アンモニアガスの使用量を減らし、得られる窒化膜の膜厚均一性を改善する。【解決手段】このシリコン窒化膜の成膜方法は、シランガス及びアンモニアガスを用いて触媒CVD法を用いて基板1上にシリコン窒化膜を成膜する方法であって、シランガス及びアンモニアガスに水素ガスを添加したガス5を、触媒体6に接触後、基板の上に供給する。成膜装置20は、反応室10を備える。反応室の内部には、基板1を保持する基板ホルダ2と、触媒体6を備える。反応室の外部には、シランガス、アンモニアガス及び水素ガスを貯蔵するガスタンク11〜13を備える。また、ガスタンクと反応室を接続するガス配管15と、ガス配管から上記ガスを、反応室の内部に供給するガス供給部4を備える。この製造装置では、ガス供給部から上記ガスを触媒体に接触後、基板に供給し、基板1上にシリコン窒化膜を成膜する。

Claim (excerpt)：

シランガス及びアンモニアガスを用い、触媒CVD法を用いて基板上にシリコン窒化膜を成膜する方法であって、前記シランガス及びアンモニアガスに水素ガスを添加したガスを、触媒体に接触させた後、前記基板の上に供給することを特徴とするシリコン窒化膜の成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/318 , C23C 16/34 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/318 B , C23C 16/34 , H01L 21/31 B

F-Term (30)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA17 , 4K030JA05 , 4K030JA06 , 4K030KA26 , 5F045AA03 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045BB02 , 5F045BB07 , 5F045BB20 , 5F045DP03 , 5F045DQ08 , 5F045EE12 , 5F045EJ02 , 5F045EJ10 , 5F058BA06 , 5F058BB02 , 5F058BC08 , 5F058BF02 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BG01 , 5F058BG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

基板冷却装置及び化学蒸気反応装置並びに基板の温度制御制御方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-032300 Applicant：ノベラス・システムズ・インコーポレイテッド
半導体膜形成方法及び薄膜半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-352455 Applicant：ソニー株式会社

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