光起電力素子およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003335100
Publication number (International publication number)：2005101427
Application date： Sep. 26, 2003
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：

【課題】入射光を最大限に活用できかつホールを効率良く収集できる光起電力素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 n型単結晶シリコン基板1の主面上に反射防止膜3が形成されている。n型単結晶シリコン基板1の裏面には、i型非晶質シリコン膜3が形成されており、i型非晶質シリコン膜3上に正極100および負極200が形成されている。正極100は、i型非晶質シリコン膜3上に順に形成されたp型非晶質シリコン膜5、裏面電極7および集電極9を含む。負極200は、i型非晶質シリコン膜3上に順に形成されたn型非晶質シリコン膜4、裏面電極6および集電極8を含む。裏面電極7はp型非晶質シリコン膜5の全面に形成されている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

一導電型を示す不純物を含み、一面および他面を有する結晶系半導体を備え、前記結晶系半導体の前記一面の第1の領域に、真性の第1の非晶質系半導体膜と、一導電型を示す不純物を含む第2の非晶質系半導体膜と、第1の電極とを順に備え、前記結晶系半導体の前記一面の第2の領域に、真性の第3の非晶質系半導体膜と、前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物を含む第4の非晶質系半導体膜と、第2の電極とを順に備え、前記第2の電極は、前記第4の非晶質系半導体膜上の全面を覆うように形成されたことを特徴とする光起電力素子。

IPC (1)：

H01L31/04

FI (2)：

H01L31/04 N , H01L31/04 M

F-Term (13)：

5F051AA05 , 5F051CA02 , 5F051CA03 , 5F051CA04 , 5F051CA05 , 5F051CA07 , 5F051CA15 , 5F051CA37 , 5F051FA03 , 5F051FA04 , 5F051FA06 , 5F051FA14 , 5F051FA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの設置方法及び太陽電池の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-023150 Applicant：三洋電機株式会社

Cited by examiner (1)

光起電力素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-284427 Applicant：三洋電機株式会社

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