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J-GLOBAL ID：200903056760675327

電界効果トランジスタ

Inventor：
コントラッタ ウォルター

About コントラッタ ウォルター


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997229311
Publication number (International publication number)：1999067793
Application date： Aug. 26, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ソースおよびドレイン抵抗の抽出を緩和するために、理想化係数がゲート長で増加しない化合物半導体電界効果トランジスタを作り出すこと。【解決手段】 3つの構造の少なくとも1つが、電流密度を減少するためにゲートエッジで導入される:1)電界強度を減少するためにショットキー界面とゲート電極側壁との間に鈍角をもつゲート電極14、2)電界強度を減少するためにゲートエッジの下のp型領域、3)ゲートエッジの下の大きい障壁高さをもつ領域。
Claim (excerpt)：
ショットキーゲート電極がソースおよびドレインオーミック電極間に置かれた半導体基板を有する電界効果トンラジスタにおいて、前記ゲート電極のショットキー界面と前記ゲート電極の金属の1つ以上の側壁との間の角度が90°より大きいことを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872
FI (2)：
H01L 29/80 F ,  H01L 29/48 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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