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J-GLOBAL ID：200903056768181080

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor：
藤本 明

About 藤本 明

, 
浅川 鋼児

About 浅川 鋼児

, 
大橋 健一

About 大橋 健一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005201980
Publication number (International publication number)：2006108635
Application date： Jul. 11, 2005
Publication date： Apr. 20, 2006
Summary：
【課題】発光素子の表面にナノメートルサイズのメサ+円柱+円錐部を有する凸構造を形成し、発光効率特性を改善する。【解決手段】半導体発光素子の光取り出し面に複数の凸構造が形成された半導体発光装置であって、凸構造20は、光取り出し面から順に、屈折率勾配構造を成す円錐状のメサ部21、回折格子構造を成す円柱部22、屈折率勾配構造を成す円錐部23の3つの構造を有し、凸構造20の間隔が、発光波長の1/(外部媒質の屈折率+基板の屈折率)より大きく1倍以下の範囲であり、円柱部22の円相当平均直径はメサ部21の下底部の円相当平均直径の1/3から9/10倍の範囲である。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体発光素子の光取り出し面に複数の凸構造が形成された半導体発光装置であって、 前記凸構造は、前記光取り出し面から順に、屈折率勾配構造を成す円錐状のメサ部、回折格子構造を成す円柱部、屈折率勾配構造を成す円錐部の3つの構造を有し、 前記凸構造の間隔が、発光波長の1/(外部媒質の屈折率+基板の屈折率)より大きく1倍以下の範囲であり、前記円柱部の円相当平均直径は前記メサ部の下底部の円相当平均直径の1/3から9/10倍の範囲であることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/306
FI (3)：
H01L33/00 B ,  H01L21/302 101B ,  H01L21/302 101C
F-Term (21)：
5F004AA02 ,  5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004DB23 ,  5F004EA03 ,  5F004EA37 ,  5F004EA38 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA37 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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