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J-GLOBAL ID:200903056770806527

高減衰材料組成物

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上野 登
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997260997
Publication number (International publication number):1999080562
Application date: Sep. 08, 1997
Publication date: Mar. 26, 1999
Summary:
【要約】【課題】ベースポリマー材料に配合される誘電体物質の材料基材表面へのブリード現象を抑制し、良好な損失正接(tanδ)特性を維持しつつ、経時変化による減衰性能の劣化を防止することにより、長期間にわたって安定した減衰性能を維持することができる高減衰材料組成物を提供すること。【解決手段】塩素化ポリエチレン100重量%と、平均炭素数が20〜50である塩素化パラフィン10〜150重量%とを配合し、更に、N,N-ジシクロヘキシルベンゾチアジル-2-スルフェンアミドを20〜60重量%配合して混練し、熱プレス機により所定の型枠内で100〜200°Cの温度条件で、10分間程度加熱し成形する。ちなみに、配合した塩素化パラフィンにより、N,N-ジシクロヘキシルベンゾチアジル-2-スルフェンアミドの配合量を少なくできる。
Claim (excerpt):
極性側鎖を有するベースポリマー材料に塩素化パラフィンを配合してなることを特徴とする高減衰材料組成物。
IPC (9):
C08L101/00 ,  C08K 5/44 ,  C08L 9/02 ,  C08L 11/00 ,  C08L 23/28 ,  C08L 27/04 ,  C08L 27/12 ,  C09K 3/00 ,  F16F 15/08
FI (9):
C08L101/00 ,  C08K 5/44 ,  C08L 9/02 ,  C08L 11/00 ,  C08L 23/28 ,  C08L 27/04 ,  C08L 27/12 ,  C09K 3/00 P ,  F16F 15/08 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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