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J-GLOBAL ID:200903056781045951

充填されたブラインドビアホールを有するビルドアッププリント配線板の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998254591
Publication number (International publication number):2000068651
Application date: Aug. 25, 1998
Publication date: Mar. 03, 2000
Summary:
【要約】【課題】 内部が充填されたブラインドビアホールを有するビルドアッププリント配線板を短時間で製造する方法を提供する。【解決手段】 ブラインドビアホールに対して、下記成分(イ)及び(ロ)を含有する硫酸銅めっき浴を使用し、かつ、正電解時間1〜50msec及び逆電解時間0.2〜5msecの周期で電流の方向を逆転させながら、電気銅めっきを行なう。(イ)1分子当たり少なくとも5個のエーテル酸素原子を含むポリエーテル。(ロ)分子内に、以下の式で示される化合物。R1 -S-(CH2 O)n -R2 -SO3 M(式中、R1 は、水素原子、-(S)n -(CH2 O)n -R2 -SO3 M、又は-CS-(S)n -(CH2 O)n -R2 -SO3 Mを示し、R2 は、炭素原子3〜8個を含むアルキレン基を示し、Mは、水素原子又はアルカリ金属を示し、そしてnは、0又は1を示す)
Claim (excerpt):
充填されたブラインドビアホールを有するビルドアッププリント配線板の製造方法であって、前記ブラインドビアホールに対して、下記成分(イ)及び(ロ)を含有する硫酸銅めっき浴を使用し、かつ、正電解時間1〜50msec及び逆電解時間0.2〜5msecの周期で電流の方向を逆転させながら、電気銅めっきを行なうことを特徴とする方法。(イ)1分子当たり少なくとも5個のエーテル酸素原子を含むポリエーテル。(ロ)分子内に、以下の式で示される化合物。R1 -S-(CH2 O)n -R2 -SO3 M(式中、R1 は、水素原子、-(S)n -(CH2 O)n -R2 -SO3 M、又は-CS-(S)n -(CH2 O)n -R2 -SO3 Mを示し、R2 は、炭素原子3〜8個を含むアルキレン基を示し、Mは、水素原子又はアルカリ金属を示し、そしてnは、0又は1を示す)
IPC (2):
H05K 3/46 ,  C25D 5/18
FI (3):
H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 B ,  C25D 5/18
F-Term (14):
4K024AA09 ,  4K024AB01 ,  4K024BB11 ,  4K024BC10 ,  4K024CA02 ,  4K024CA08 ,  4K024GA16 ,  5E346AA43 ,  5E346CC57 ,  5E346EE31 ,  5E346FF07 ,  5E346FF14 ,  5E346GG17 ,  5E346HH33
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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