排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：八田幹雄 , 野上敦 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸 , 藤井敏史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003379795
Publication number (International publication number)：2004183096
Application date： Nov. 10, 2003
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：

【課題】排気経路におけるパウダ生成を防止できる原子層蒸着装置(ALD)を提供する。【解決手段】少なくとも2種の反応物質を使用するALD過程がウェーハ上で行われる反応部と、反応物質を交互に反応部に各々供給する反応物質供給部と、ALD過程に加わって残った未反応の反応物質各々が排気中に相互独立的に反応部から排気させるために反応物質の種類と同数導入される排気経路、未反応の反応物質各々が所定の排気経路にだけ排気されるように排気経路各々を排気される前記未反応の反応物質の種類によって選択的に断続させる排気制御弁を含んで構成されるALD装置。これにより、ALD過程に使われる色々な反応物質が断続的に反応部から排気されるとき、排気経路内で異なる反応物質が接触することを効果的に防止できる。これにより、排気経路内で異なる反応物質が接触して反応し、パウダまたは固相の沈積物が生成することを防止できる。排気経路内でパウダの発生が効果的に防止できるので、排気経路を管理するのにかかる手間を大きく節減できる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

少なくとも2種の反応物質を使用する原子層蒸着過程がウェーハ上で行われる反応部と、該反応物質を交互に該反応部に各々供給する反応物質供給部と、該原子層蒸着過程で残った未反応の該反応物質各々を排気中に、相互独立的に該反応部から排気させるために該反応物質の種類の数と同数導入される排気経路と、該未反応の反応物質各々が所定の排気経路にだけ排気されるように該排気経路各々を排気される該未反応の反応物質の種類によって選択的に断続させる排気制御弁と、を含むことを特徴とする原子層蒸着装置。

IPC (3)：

C23C14/54 , C23C14/24 , H01L21/205

FI (4)：

C23C14/54 B , C23C14/24 M , C23C14/24 Z , H01L21/205

F-Term (8)：

4K029DA02 , 4K029DA09 , 4K029DA10 , 5F045AA05 , 5F045AA15 , 5F045BB15 , 5F045EG01 , 5F045EG08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電動工具のアイドルギア保持機構
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-074846 Applicant：日本電気精器株式会社

Cited by examiner (6)

特開平1-189114
成膜処理装置の排気システム構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-030059 Applicant：東京エレクトロン株式会社
III -V族化合物半導体結晶成長法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038034 Applicant：富士通株式会社

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