縦型MOSFETの製造方法及び縦型MOSFET

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997021612
Publication number (International publication number)：1998223891
Application date： Feb. 04, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】動作時の抵抗値(ON抵抗)の低減を実現しつつ、寄生容量が小さく、かつゲート酸化膜の絶縁耐圧の低下を防止した縦型MOSFETの製造方法及び縦型MOSFETを提供する。【解決手段】シリコンエッチング工程によってウエハ主面に第1の溝を形成し、第1の溝の内壁を熱酸化させることで第1の溝の内壁に選択酸化膜を形成し、第1の溝の内壁を選択酸化膜が侵食することにより形作られる第2の溝を、選択酸化膜を除去することで形成し、第2の溝の側壁近傍がチャネルとして使用される、縦型MOSFETの製造方法において、選択酸化膜を1100°C以上、1200°C以下の温度で形成する。

Claim (excerpt)：

シリコンエッチング工程によってウエハ主面に第1の溝を形成し、前記第1の溝の内壁を熱酸化させることで前記第1の溝の内壁に選択酸化膜を形成し、前記第1の溝の内壁が前記選択酸化膜で侵食されることにより形作られる第2の溝を、前記選択酸化膜を除去することで形成する、前記第2の溝の側壁近傍がチャネルとして使用される縦型MOSFETの製造方法において、前記選択酸化膜を1100°C以上、1200°C以下の温度で形成することを特徴とする縦型MOSFETの製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/316 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 653 A , H01L 21/94 A , H01L 29/78 652 K , H01L 29/78 658 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開昭62-012167
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-067972 Applicant：日本電装株式会社

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