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J-GLOBAL ID：200903056895015858

窒素ドープGaPエピタキシャル層の成長方法

Inventor： 樋口 晋 ,  山田 雅人 ,  柳澤 宗久
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995067778
Publication number (International publication number)：1996264467
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 液相エピタキシャル成長法で、窒素ドープされた GaP層を成長させるにあたり、該 GaP層中の窒素濃度を広い濃度領域において精度良く制御できる方法を提供する。【構成】 窒素の供給源としてアンモニア(NH3 )を用い、液相エピタキシャル成長法により、窒素ドープGaP エピタキシャル層を成長させる成長方法において、該GaP エピタキシャル層中の窒素濃度[N]を下記数式(1)によって制御することを特徴とする窒素ドープGaP エピタキシャル層の成長方法。[N]=[N0 ]・(V/V0 )a ........(1)ただし、Vは窒素ドープGaP エピタキシャル層の成長速度、V0 は窒素ドープGaP エピタキシャル層の基準成長速度、[N0 ]はV=V0 の時の窒素ドープGaP エピタキシャル層の窒素濃度、aは定数である。

Claim (excerpt)：

窒素の供給源としてアンモニア(NH3 )を用い、液相エピタキシャル成長法により、窒素ドープGaP エピタキシャル層を成長させる成長方法において、該GaP エピタキシャル層中の窒素濃度[N]を下記数式(1)によって制御することを特徴とする窒素ドープGaP エピタキシャル層の成長方法。[N]=[N0 ]・(V/V0 )a ........(1)ただし、Vは窒素ドープGaP エピタキシャル層の成長速度、V0 は、窒素ドープGaP 層の基準成長速度、[N0 ]はV=V0 の時の窒素ドープGaP 層中の窒素濃度、aは定数である。

IPC (4)：

H01L 21/208 ,  C30B 19/10 ,  C30B 29/44 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/208 Z ,  C30B 19/10 ,  C30B 29/44 ,  H01L 33/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭49-126288
  
• GaP系発光素子基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-242659   Applicant：信越半導体株式会社
• 特開平2-263793