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J-GLOBAL ID:200903056923340638

低誘電率有機ケイ酸塩ガラス膜の作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004162174
Publication number (International publication number):2005019980
Application date: May. 31, 2004
Publication date: Jan. 20, 2005
Summary:
【課題】 機械的特性の向上した低誘電率有機ケイ酸塩(OSG)を、混合物中の例えばメチル基等の有機基の量を調整することにより製造するための化学気相成長法を開示する。【解決手段】 本発明の一つの態様では、1つのSi原子当たり3〜4個のSi-O結合、1つのSi原子当たりSi-H、Si-Br、及びSi-Cl結合よりなる群から選択される0〜1個の結合を含み、Si-C結合を含まない第1のケイ素含有前駆体と、1つのSi原子当たり少なくとも1つのSi-C結合を含む第2のケイ素含有前駆体とを含む混合物から、OSG膜を被着させる。本発明のもう一つの態様では、不斉ケイ素含有前駆体を含む混合物から、OSG膜を被着させる。どちらの態様でも、混合物は、多孔性OSG膜を提供するため細孔形成剤前駆体を更に含むことができる。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
誘電率が4.0以下の有機ケイ酸塩ガラス膜の作製方法であって、 1つのSi原子当たり3〜4個のSi-O結合、1つのSi原子当たりSi-H、Si-Br、及びSi-Cl結合よりなる群から選択される0〜1個の結合を含み、Si-C結合を含まない第1のケイ素含有前駆体と、1つのSi原子当たり少なくとも1つのSi-C結合を含む第2のケイ素含有前駆体とを含む混合物(i)と、Si-C結合対Si原子の数の比が1未満である不斉ケイ素含有前駆体を含む混合物(ii)、から選択されるものである混合物を用意すること、 基材を収容した反応チャンバーにこの混合物を導入すること、 そして反応チャンバー中の混合物にエネルギーを適用して反応を誘起し、基材上に有機ケイ酸塩ガラス膜を被着させること、 を含む有機ケイ酸塩ガラス膜の作製方法。
IPC (2):
H01L21/312 ,  C23C16/42
FI (2):
H01L21/312 C ,  C23C16/42
F-Term (29):
4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ21 ,  4H049VR11 ,  4H049VR21 ,  4H049VR42 ,  4H049VR43 ,  4H049VU24 ,  4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA24 ,  4K030BA48 ,  4K030BA61 ,  4K030FA01 ,  4K030FA06 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  5F058AC03 ,  5F058AF02 ,  5F058AH02 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 絶縁膜の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2000-083781   Applicant:株式会社日立国際電気
  • 低誘電率層間絶縁膜の形成方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-008476   Applicant:エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
  • 低誘電率材料およびCVDによる処理方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2002-149738   Applicant:エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド

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